然而，一个变数是，苹果目前正在考虑在 iPhone 中使用长江存储的 NAND 闪存。在这种情况下，预计长江存储将通过扩大投资大力追逐韩国芯片制造商。特别是，NAND 闪存领域与 DRAM 行业不同，是一个成长中的行业，所以有很多变数。专家说，如果有五六家 NAND 闪存公司迅速扩大产能，就会出现价格竞争，这可能会使 NAND 闪存市场份额的排名发生变化。

此外该机构还称，韩国在代工技术方面领先中国约 5 年。目前，韩国的三星电子和中国台湾的台积电正在大规模生产 4 至 5 纳米的芯片。另一方面，中国的中芯国际处于 14 纳米的水平，落后两到三代。

IT之家 5 月 31 日消息，据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年，NAND 闪存方面领先 2 年。

IT之家了解到，在 NAND 闪存方面，该机构估计中国与韩国的技术差距约为两年。中国存储半导体公司长江存储在 2021 年 8 月开始大规模生产第六代（128 层）3D NAND 闪存，三星和 SK 海力士自 2019 年以来一直在大规模生产该闪存。韩国公司计划从今年年底到明年年初大规模生产超过 200 层的 NAND 闪存，但长江存储预计要到 2024 年才能做到。

特别是，三星和 SK 海力士已经引进了用于超微制造工艺的极紫外光（EUV）设备，或正计划引进，但由于中国公司很难引进 EUV 设备，为此许多专家表示，中国要缩小与韩国的技术差距并不容易。

中国芯片制造商的良率也很低。OERI 分析说，2019 年开始批量生产第一代 10nm 级（1x 或 18 纳米至 19 纳米）DRAM 的长鑫存储，即使两年过去了，其良率仍在 75% 左右挣扎。据了解，其第二代 DRAM 的良率也在 40% 左右。分析师说，长鑫存储的 DRAM 市场份额，截至去年年底还不到 1%，不会出现大幅反弹。

该研究机构在 5 月 30 日表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）DRAM 的大规模生产。另一方面，三星电子和 SK 海力士正计划在今年年底或明年大规模生产第五代 10nm 级（1b 或 12 纳米至 13 纳米）DRAM。考虑到每一代的技术差距约为两年到两年半，两国的技术差距超过五年。