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韩研究所:韩国 DRAM 技术领先中国 5 年,NAND 闪存

然而,一个变数是,苹果目前正在考虑在 iPhone 中使用长江存储的 NAND 闪存。在这种情况下,预计长江存储将通过扩大投资大力追逐韩国芯片制造商。特别是,NAND 闪存领域与 DRAM 行业不同,是一个成长中的行业,所以有很多变数。专家说,如果有五六家 NAND 闪存公司迅速扩大产能,就会出现价格竞争,这可能会使 NAND 闪存市场份额的排名发生变化。

此外该机构还称,韩国在代工技术方面领先中国约 5 年。目前,韩国的三星电子和中国台湾的台积电正在大规模生产 4 至 5 纳米的芯片。另一方面,中国的中芯国际处于 14 纳米的水平,落后两到三代。

IT之家 5 月 31 日消息,据 BusinessKorea 报道,韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)估计,韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年,NAND 闪存方面领先 2 年。

IT之家了解到,在 NAND 闪存方面,该机构估计中国与韩国的技术差距约为两年。中国存储半导体公司长江存储在 2021 年 8 月开始大规模生产第六代(128 层)3D NAND 闪存,三星和 SK 海力士自 2019 年以来一直在大规模生产该闪存。韩国公司计划从今年年底到明年年初大规模生产超过 200 层的 NAND 闪存,但长江存储预计要到 2024 年才能做到。

特别是,三星和 SK 海力士已经引进了用于超微制造工艺的极紫外光(EUV)设备,或正计划引进,但由于中国公司很难引进 EUV 设备,为此许多专家表示,中国要缩小与韩国的技术差距并不容易。

中国芯片制造商的良率也很低。OERI 分析说,2019 年开始批量生产第一代 10nm 级(1x 或 18 纳米至 19 纳米)DRAM 的长鑫存储,即使两年过去了,其良率仍在 75% 左右挣扎。据了解,其第二代 DRAM 的良率也在 40% 左右。分析师说,长鑫存储的 DRAM 市场份额,截至去年年底还不到 1%,不会出现大幅反弹。

该研究机构在 5 月 30 日表示,今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级(1y 或 16 纳米至 17 纳米)DRAM 的大规模生产。另一方面,三星电子和 SK 海力士正计划在今年年底或明年大规模生产第五代 10nm 级(1b 或 12 纳米至 13 纳米)DRAM。考虑到每一代的技术差距约为两年到两年半,两国的技术差距超过五年